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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.9: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

LEED und AES-Untersuchungen von thermisch und unter Si-Fluß präparierten Rekonstruktionsphasen von hexagonalen SiC-Oberflächen — •M. Franke, J. Bernhardt, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen

Auf der Si-terminierten, d.h. (0001)-Orientierung von 4H-SiC wurde ausgehend von einer chemisch vorbehandelten Oberfläche mit (1×1)-Ordnung durch Bedampfen der Probe mit Silizium und gleichzeitigem Heizen die siliziumreiche (3×3)-Überstruktur erzeugt. Demgegenüber formte sich diese Überstruktur auf einem 3C-SiC(111)-Film allein durch Heizen, da das Si-Substrat als Si-Reservoir fungierte. Durch weiteres Heizen der 4H-Probe ohne Si-Fluß konnte die kohlenstoffreiche (√3×√3)−R30^∘-Phase präpariert werden, die sich im Gegensatz zur (3×3)-Struktur durch Kontamination mit Restgas in eine (1×1)-Phase umwandelt. Die (√3×√3)−R30^∘-Struktur konnte auch direkt durch Heizen der chemisch präparierten 4H-Probe erzeugt werden, allerdings mit reduzierter Fernordnung. Strukturmodelle der Überstrukturen und der (1×1)-Phasen werden unter Verwendung von LEED-Intensitäten und AES-Daten diskutiert. Die beiden Präparationsmethoden der (√3×√3)−R30^∘-Phase werden verglichen. Die LEED-Daten der (3×3)-Phase auf 3C-SiC(111) liefern Auswahlkriterien über mögliche Modelle für diese siliziumreiche Überstruktur.

Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft im SFB 292.