Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 7: Epitaxie/Wachstum auf Metallen

O 7.10: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:15–18:30, S 10

Wachstum von N₂ - Molekülfilmen auf einer Cu-O-Streifenphase — •R. Halmer, V. B. Diercks, P. Zeppenfeld, R. David und G. Comsa — Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH

Mittels Streuung thermischer Heliumatome sowie thermische Desorptionsspektroskopie wurde das Wachstum von molekularem Stickstoff auf der nanostrukturierten Cu(110)-(2×1)O-Oberfläche untersucht. Durch Adsorption von Sauerstoff bei Raumtemperatur wird zunächst die regelmäßig geordnete, stabile Streifenphase [1], bei der sich Cu- und Cu-O-Bereiche abwechseln, erzeugt. Begast man diese Fläche mit Stickstoff zeigt sich ein ähnliches Verhalten wie bei der Adsorption von CF₄ [2]. Zuerst adsorbiert N₂ auf den Cu-O-Streifen und danach auf den reinen Kupferbereichen zwischen den Streifen.Anschließend werden jedoch noch weitere Moleküle auf den Cu-O-Streifen adsorbiert, bis schließlich die von der vollständig mit Sauerstoff belegten Cu(110)-(2×1)O-Fläche her bekannte komprimierte (4×3) N₂-Struktur auch auf den Streifen entsteht.

[1] K. Kern, H. Niehus, A. Schatz, P. Zeppenfeld, J. Goerge und
G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 67, 855 (1991)

[2] V. Diercks, P. Zeppenfeld, R. David und G. Comsa, DPG-Frühjahrstagung 1996, Verhandlungen O 20.11