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O: Oberflächenphysik

O 7: Epitaxie/Wachstum auf Metallen

O 7.11: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:30–18:45, S 10

Wachstum und Struktur von Xenon auf Cu(110) untersucht mittels temperaturvariabler Rastertunnelmikroskopie — •M. Dienwiebel, J. Einfeld, P. Zeppenfeld und G. Comsa — Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Mit einem temperaturvariablen Rastertunnelmikroskop wurde das
Wachstum von Xe auf Cu(110) im Temperaturbereich von 13-80 K untersucht. Anders als auf Pt(111) beobachtet, dekorieren die ersten Xe-Atome nicht die oberen Stufenkanten in Form monoatomarer Ketten, sondern bilden zweidimensionale Inseln (Strände) an den unteren Stufenkanten. Die Keimung erfolgt dabei bevorzugt an den rauheren Stufenkanten, die in [001]-Richtung verlaufen. Bei höheren Bedeckungen breiten sich die Inseln schließlich auch über die Stufenkanten auf die oberen Terrassen aus.
Bei Bedeckung mit einer vollen Monolage konnte die Struktur bei tiefen Temperaturen (13-17 K) in [001]-Richtung atomar aufgelöst werden. Hierbei konnte die mit Streuung thermischer Heliumatome gemessene (n × 2)-Struktur bestätigt werden.