Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 8: Elektronische Struktur I

O 8.12: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:45–19:00, S 1

Elektronenemission während der O₂-Chemisorption auf Fulleridoberflächen — •A. Böttcher¹, S. Fichtner-Endruschat² und H. Niehus¹ — ¹Institut für Physik, Oberflächenphysik und Atomstoßprozesse, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110, 10115 Berlin — ²Fritz-Haber-Institut der MPG, Physikalische Chemie, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

Die Oxidation von Metalloberflächen kann zur Emission niederenergetischer Elektronen führen. Zum Vergleich wurde hier die chemisorptive Emission bei der Oxidation von nichtmetallischen Cs-Fulleriden untersucht. Die elektronischen Eigenschaften des Valenzbandes der Fulleride wurden mit UPS(21.2 eV) und mit der Spektroskopie der Abregung von He(2¹S)-Atomen (MDS) charakterisiert. Im vollen Dotierungsbereich der Cs_qC₆₀-Phase (0<q<6) konnte keine Emission beobachtet werden. Diese Feststellung betrifft auch die Oxidation der gesättigten Cs-Fulleride, die durch maximale Besetzung der C₆₀-t_1u-Orbitale gekennzeichnet sind. Dagegen konnte eine starke Elektronenemission registriert werden, wenn die nichtmetallischen Fulleridoberflächen einige Cs-Cluster enthielten. Bei der Oxidation von äquivalenten Cs-Mengen, die auf einem metallischen Substrat deponiert wurden, zeigt sich eine um fast zwei Größenordnungen schwächere Emission. Dieser Effekt wird im Rahmen der geometrischen und elektronischen Eigenschaften der Cs-Cluster auf einer nichtmetallischen Oberfläche der Cs-Superfulleride diskutiert.