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O: Oberflächenphysik

O IV: HV IV

O IV.1: Invited Talk

Tuesday, March 18, 1997, 12:15–13:00, S 10

Modifizierte Grenzflächen von III-V–Halbleitern — •T. Chassé — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 2, 04103 Leipzig

Neben der Suche nach neuen Halbleitermaterialien wird die Beeinflussung von Halbleitereigenschaften durch Modifizierung von Grenzflächen gegenwärtig intensiv verfolgt. Je nach Halbleitersubstrat und Oberflächenorientierung werden verschiedene, meist heterovalente Schichten zur Grenzflächenmodifizierung herangezogen.
Hier wird über die Passivierung von (110)- und (001)-Oberflächen von III-V–Halbleitern, insbesondere InP, und die Beeinflussung von Metall–Halbleiter–Interfaces durch solche Zwischenschichten berichtet. Verschiedene Techniken der Photoelektronenspektroskopie (XPS/SXPS, ARUPS, XPD) wurden eingesetzt, um die Veränderungen hinsichtlich der Oberflächenbandstruktur, der elektronischen Grenzflächenparameter wie Schottky–Barrieren, von Interfacereaktionen sowie der Schichtmorphologie zu untersuchen. Die experimentellen Ergebnisse werden zusammen mit theoretischen Resultaten, die für einige Systeme vorliegen, diskutiert.