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O: Oberflächenphysik
O IV: HV IV
O IV.1: Invited Talk
Tuesday, March 18, 1997, 12:15–13:00, S 10
Modifizierte Grenzflächen von III-V–Halbleitern — •T. Chassé — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 2, 04103 Leipzig
Neben der Suche nach neuen Halbleitermaterialien wird die
Beeinflussung von Halbleitereigenschaften durch Modifizierung
von Grenzflächen gegenwärtig intensiv verfolgt.
Je nach Halbleitersubstrat und Oberflächenorientierung werden
verschiedene, meist heterovalente Schichten zur
Grenzflächenmodifizierung herangezogen.
Hier wird über die Passivierung von (110)- und (001)-Oberflächen
von III-V–Halbleitern, insbesondere InP, und die Beeinflussung von
Metall–Halbleiter–Interfaces durch solche Zwischenschichten
berichtet. Verschiedene Techniken der Photoelektronenspektroskopie
(XPS/SXPS, ARUPS, XPD) wurden eingesetzt, um die Veränderungen
hinsichtlich der Oberflächenbandstruktur, der elektronischen
Grenzflächenparameter wie Schottky–Barrieren, von
Interfacereaktionen sowie der Schichtmorphologie zu untersuchen.
Die experimentellen Ergebnisse werden zusammen mit theoretischen
Resultaten, die für einige Systeme vorliegen, diskutiert.