Münster 1997 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O IX: HV IX

O IX.1: Invited Talk

Thursday, March 20, 1997, 14:15–15:00, S 10

Atomare Struktur hexagonaler Oberflächen von 6H-, 4H- und 3C-SiC — •U. Starke — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen

Wegen seiner besonderen physikalischen Eigenschaften, erlaubt Siliziumkarbid die Verwirklichung elektronischer Bauelemente für extreme Anforderungen wie hohe Leistung, hohe Schaltfrequenzen oder hohe Arbeitstemperaturen. Allerdings birgt die Herstellung von Substratmaterial hoher elektronischer und kristalliner Qualität einige Schwierigkeiten. Durch eine bessere Kontrolle der Oberflächenstruktur von SiC verspricht man sich hier Verbesserungen. Da technologische Wachstumsprozesse hauptsächlich entlang der hexagonalen Bilagen durchgeführt werden, sind die hexagonalen Oberflächen von SiC diesbezüglich von besonderer Bedeutung. In diesem Vortrag werden Analysen der atomaren Struktur solcher Oberflächen mittels LEED, AES, STM und HREELS für Proben verschiedener Polytypen und Orientierungen vorgestellt. Dabei werden neben den eigentlichen geometrischen Parametern die Stapelfolge der Bilagen, Morphologie, Polytyp, Adatome und Oberflächenrekonstruktionen untersucht. Schließlich wird die Verwendung experimentell aufgenommener LEED-Intensitäten als „Fingerabdrücke“ zur Charakterisierung der Probeneigenschaften demonstriert.

Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.