Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O X: HV X

O X.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 15:00–15:45, S 10

Dimerisierung an III-V(001)-Oberflächen? — •W.G. Schmidt — Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, FSU J ena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Wir diskutieren die strukturellen und elektronischen Eigenschaften von (2×4) und (4×2) rekonstruierten III-V(001)-Oberflächen. Die Stabilität und Stöchiometrie der Oberflächenphasen wird in Abhängigkeit von den chemischen Potentialen ihrer Bestandteile untersucht. Die Ergebnisse unserer parameterfreien Pseudopotential-Gesamtenergierechnungen werden mit den verfügbaren experimentellen Daten verglichen. Das Ziel ist die Entwicklung eines klaren Bildes der auftretenden Oberflächenrekonstruktionen und ihrer Ursachen. Schwerpunkte des Vortrages sind die As- bzw. Ga-reichen GaAs(001)-Oberflächen, deren Rekonstruktionen durch π- und σ-gebundene Anion- bzw. Kationdimere gekennzeichnet sind. Zusammen mit den Bindungen der – in Analogie zu den III-V(110)-Oberflächen – umhybridisierten Oberflächenkationen bestimmen diese Dimerbindungen die Details der Oberflächengeometrien und -bandstrukturen. Adsorption von Fremdatomen der III. (In) und V. Hauptgruppe ( Sb) führt lediglich zu quantitativen Änderungen der Oberflächeneigenschaften. Ein deutliche Änderung des Bindungsverhaltens tritt jedoch an der zum Vergleich diskutierten InP(001)-Oberfläche auf.