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TT: Tiefe Temperaturen

TT 13: HTSL: Ramanstreuung, elektronische Struktur

TT 13.8: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 16:45–17:00, F2

Entwicklung der elektronischen Struktur mit der Lochdotierung in Bi₂Sr₂Y_xCa_1−xCu₂O_8+δ — •A. Müller, J. Augustin, H. Dwelk, A. Krapf und R. Manzke — Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110, D-10115 Berlin

Wir präsentieren winkelaufgelöste Photoemissionsergebnisse des höchsten besetzten Zustandes der Einkristalle Bi₂Sr₂Y_xCa_1−xCu₂O_8+δ mit Löcherkonzentrationen zwischen dem isolierenden, antiferromagnetisch geordneten und dem supraleitenden, metallischen Grenzfall. Die Daten werden verglichen mit jüngsten Resultaten vom verwandten Kuprat-System Bi₂Sr₂Dy_xCa_1−xCu₂O_8+δ [1] und dem Modell-Isolator Sr₂CuO₂Cl₂ [2] sowie Berechnungen im Rahmen des t-J-Modells.
Gefördert durch das BMBF (Projekt 05 605 KHA).

[1] D.S. Marshall et.al., Phys. Rev. Letters 76(25), 4841 (1996)

[2] B.O. Wells et.al., Phys. Rev. Letters 74(6), 964 (1995)