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Münster 1997 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 14: Postersitzung II: Korrelierte Systeme(1-40), Theorie der Supraleitung(41-50), Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung(51-66), Niederdimensionale Systeme, Quantenhalleffekt(67-80), Pinning, kritische Ströme und Vortexdynamik(81-93), HTSL-Drähte und -Bänder(94-98), Massive HTSL(99-104), supraleitende Borkarbide(105-109)

TT 14.62: Poster

Wednesday, March 19, 1997, 15:00–18:30, Z1

Elektronische Struktur von V2O5 : Metall-Isolator-Übergang? — •V. Eyert1 und K.-H. Höck21Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin — 2Institut für Physik, Universität Augsburg, Memminger Str. 6, D-86135 Augsburg

Es werden die Ergebnisse der ersten voll selbst-konsistenten first principles Rechnungen für halbleitendes Vanadiumpentoxid vorgestellt. Die skalar-relativistischen ASW Rechnungen basieren auf der Dichtefunktionaltheorie und der lokalen Dichtenäherung. Mit Hilfe eines neuen Algorithmus konnte eine optimale Packung der Atomkugeln in der offenen Schichtstruktur von V2O5 erreicht werden. Der Rechenaufwand wurde durch ein neues Verfahren zur Konvergenzbeschleunigung minimiert. Erstmalig werden chemische Bindungen im Rahmen einer ab initio Berechnung der Crystal Orbital Overlap Population (COOP) untersucht.
Die elektronischen Eigenschaften der besetzten Zustände von V2O5 werden durch die Hybridisierung von kristallfeldaufgespaltenen V d - und Sauerstoff p -Zuständen dominiert. Die Leitungsbandunterkante besteht dagegen allein aus V 3 dxy -Orbitalen. Eine detaillierte Analyse der Bindungsverhältnisse mit Hilfe der COOP unterstreicht die Bedeutung der V 3d – O 2p -Bindung.
Der Einfluß der Gitterfreiheitsgrade auf die Ausbildung des halbleitenden Gaps wird im Rahmen der Simulation eines Metall-Isolator-Übergangs untersucht.

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