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TT: Tiefe Temperaturen
TT 14: Postersitzung II: Korrelierte Systeme(1-40), Theorie der Supraleitung(41-50), Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung(51-66), Niederdimensionale Systeme, Quantenhalleffekt(67-80), Pinning, kritische Ströme und Vortexdynamik(81-93), HTSL-Drähte und -Bänder(94-98), Massive HTSL(99-104), supraleitende Borkarbide(105-109)
TT 14.64: Poster
Mittwoch, 19. März 1997, 15:00–18:30, Z1
Leitf"ahigkeitsmaximum bei sehr tiefen Temperaturen in metallischem Si:P nahe dem Metall-Isolator-"Ubergang — •S. Wagner, A. Blaschette, A. Ruzzu, and H. v. L"ohneysen — Physikalisches Institut, Universit"at Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe
Wir berichten "uber hochaufl"osende Messungen der elektrischen Leitf"ahigkeit σ(T) an unkompensiertem Si:P unterhalb 1 K mit P-Konzentrationen N oberhalb der kritischen Konzentration Nc = 3.54 · 1018 cm−3 f"ur den Metall-Isolator-"Ubergang. In einem schmalen Bereich N ≈ 4 · 1018 cm−3, etwa 10% oberhalb Nc, zeigt σ(T) ein schwaches Maximum, das sich rasch zu tieferen Temperaturen mit wachsendem N verschiebt. Das Auftreten dieser Maxima sowie ihre starke Verschiebung zu h"oherem T mit steigendem Magnetfeld werden interpretiert im Rahmen der Elektron-Elektron-Wechselwirkung: Der Triplett-Elektron-Loch-Kanal in der Elektron-Elektron-Wechselwirkung wird durch die Spinflip-Streuung an lokalisierten magnetischen Momenten unterdr"uckt. Dagegen ist der direkte Einflu"s der Spinflip-Streuung auf den Ladungstransport vernachl"assigbar, wie die Magnetfeldabh"angigkeit von σ(T) sowie eine Analyse der Thermokraft zeigen.