Münster 1997 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 16: Supraleitende dünne Filme

TT 16.7: Talk

Thursday, March 20, 1997, 11:00–11:15, F2

Doppelseitige HTSL-Beschichtung durch rückseitiges Direktbonden einseitig beschichteter Wafer: Back-to-back Wafer Bonding — •P. Kopperschmidt, G. Kästner, D. Hesse und U. M. Gösele — Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, D-06120 Halle/S

Es wird ein neues Verfahren zur Herstellung beidseitig beschichteter Wafer vorgestellt. Die konventionelle, beidseitige Abscheidung dünner Schichten auf Substratwafern mittels PLD oder Kathodenzerstäubung erfordert hohen technischen Aufwand und ist für bestimmte Materialpaarungen hinsichtlich ihrer Eigenschaften nur bedingt realisierbar. Mit Hilfe des ’back-to-back’ Waferbondens wurden zwei mit YBCO epitaktisch beschichtete 3” Saphirwafer rückseitig verbunden. Eine Temperbehandlung bei 500 C führte zu einem Anstieg der Bondenergie, ausreichend, um unbeschadet das Abschrecken in flüssigem Stickstoff zu überstehen. Makroskopische Inhomogenitäten der Saphir/Saphir-Grenzfläche wurden mittels Ultraschall detektiert. Anhand von TEM-Querschnittspräparaten wurde die Morphologie der Grenzfläche untersucht. Die kristallographischen Gitter der beiden gebondeten Saphir-Wafer waren ohne erkennbare Zwischenschicht atomar miteinander verbunden. Periodische Strukturen entlang der Grenzfläche deuten auf die Ausbildung von atomaren Terrassen während der Temperung.