Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
TT: Tiefe Temperaturen
TT 19: Postersitzung III: Josephsonkontakte(1-25), SQUIDs, Sensoren, Detektoren(26-37), Supraleitung in Hochfrequenz und Elektronik(38-45), Präparation und Dotierung von HTSL(46-53), NMR und Ultraschall in HTSL(54-60), Thermodynamik, Magnetismus(61-68), Transporteigenschaften von HTSL(69-73), Spektroskopie, Ramanstreuung, param. Meissner-Effekt in HTSL(74-84), n-dotierte HTSL(85-91)
TT 19.35: Poster
Thursday, March 20, 1997, 15:30–19:00, Z1
Entwicklung von Tieftemperaturdetektoren basierend auf supraleitenden Tunneldioden — •Paul Hettl1, Manfred Bruckmayer2, Andreas Graßl1, Josef Jochum3, Hans Kraus2, F. v. Feilitzsch1 und R.L. Mößbauer1 — 1Technische Universität München, James Franck Straße 1, 85748 Garching — 2University of Oxford Nuclear and Astrophysics Laboratory, Keble Road Oxford OX 1 3RH — 3Center for Particle-Astrophysics, Berkley (USA)
Energiedeposition in supraleitenden Absorbern führt zur Anregung einer Überschußquasiteilchendichte, die in supraleitenden Tunneldioden ein Ladungssignal hervorruft. Aus diesem lassen sich Ort und Energie des Absorptionsereignisses rekonstruieren. Die bisher erreichte Energieauflösung ist noch weit von ihrer statistischen Grenze entfernt. Als wesentliche Ursachen für diese Degradation wurden die Verwendung von normalleitenden Kontaktierungsschichten und der Proximity-Effekt zwischen Supraleitern verschiedener Energielücke erkannt. In diesem Kurzvortrag werden die Ergebnisse der Detektorentwicklung des letzten Jahres zusammenfassend dargestellt. Mit einzelnen supraleitenden Tunneldioden konnte eine Energieauflösung von weniger als 50 eV (FWHM) für 6 keV-Röntgenstrahlung erzielt werden.