Münster 1997 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

TT: Tiefe Temperaturen

TT 19: Postersitzung III: Josephsonkontakte(1-25), SQUIDs, Sensoren, Detektoren(26-37), Supraleitung in Hochfrequenz und Elektronik(38-45), Präparation und Dotierung von HTSL(46-53), NMR und Ultraschall in HTSL(54-60), Thermodynamik, Magnetismus(61-68), Transporteigenschaften von HTSL(69-73), Spektroskopie, Ramanstreuung, param. Meissner-Effekt in HTSL(74-84), n-dotierte HTSL(85-91)

TT 19.45: Poster

Thursday, March 20, 1997, 15:30–19:00, Z1

Josephson-Feldeffekt-Transistoren (JoFET) auf p-Typ InAs — •R. Kürsten, T. Matsuyama, A. Chrestin und U. Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg

Bringt man zwei supraleitende Kontakte auf einem Halbleiter in einen Abstand von der Größenordnung der Kohärenzlänge des Halbleiters, so können in diesem Supraströme induziert werden. Der kritische Strom dieses Josephson-Kontaktes kann bei einer Kopplung über ein quasi-zweidimensionales Elektronengas durch ein elektrisches Feld gesteuert werden. Solche Josephson-Feldeffekt-Transistoren werden mit dem Supraleiter Niob auf der natürlichen Inversionsschicht des p-Typ InAs realisiert. Durch Elektronenstrahllithographie können Kontakabstände von unter 100nm erreicht werden. Für verschiedene Kontaktgeometrien werden die supraleitenden und normalleitenden Eigenschaften durch Messung des kritischen Stromes sowie des differentiellen Widerstandes charakterisiert.