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TT: Tiefe Temperaturen
TT 19: Postersitzung III: Josephsonkontakte(1-25), SQUIDs, Sensoren, Detektoren(26-37), Supraleitung in Hochfrequenz und Elektronik(38-45), Präparation und Dotierung von HTSL(46-53), NMR und Ultraschall in HTSL(54-60), Thermodynamik, Magnetismus(61-68), Transporteigenschaften von HTSL(69-73), Spektroskopie, Ramanstreuung, param. Meissner-Effekt in HTSL(74-84), n-dotierte HTSL(85-91)
TT 19.5: Poster
Thursday, March 20, 1997, 15:30–19:00, Z1
In-situ und Ex-situ hergestellte Rampenkontakte mit PrBaCuO Barriere — •A. Engelhardt, C. Horstmann, M. Strikovskiy und R. Dittmann — Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich
Es wurden Rampenkontakte mit PrBa2Cu3O7−δ Barriere mit verschiedenen Methoden hergestellt. Hierbei wurde einmal die Rampe durch Ionenätzen der unteren YBa2Cu3O7−δ - Elektrode geformt und in einer ex-situ Deposition die Barriere und die obere Elektrode aufgebracht. Zum anderen ermöglichte eine Mikroschattenmaskentechnik die in-situ Präparation der Rampenkontakte. Dieser Prozeß gewährleistet eine glatte und ungestörte SN - Grenzfläche. Hierdurch konnte, bei einer Barrierendicke von 45 nm, eine charakteristische Spannung von VC = 1.5 mV (RN = 22.5 Ω, IC = 70 mA bei T = 77 K ) gemessen werden. Ex-situ hergestellte Kontakte mit einer Barrierendicke von 30 nm zeigen typischerweise ein um einen Faktor 10 kleineres VC(RN = 2 - 4 Ω, IC = 35 - 70 mA, VC = 100 - 140 mV bei 77 K). Die Kontakte beider Herstellungsmethoden zeigen RSJ - ähnliches Verhalten und eine zusätzliche Leitfähigkeit bei niedrigen Temperaturen und hohen Steuerströmen, was auf resonantes Tunneln durch die Barriere zurückzuführen ist. Der normalleitende Widerstand der Kontakte steigt zu niedrigen Temperaturen an.
Diese Arbeit wurde durch das BMBF gefördert (Förderkennzeichen 13N6411/9)