Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

TT: Tiefe Temperaturen

TT 19: Postersitzung III: Josephsonkontakte(1-25), SQUIDs, Sensoren, Detektoren(26-37), Supraleitung in Hochfrequenz und Elektronik(38-45), Präparation und Dotierung von HTSL(46-53), NMR und Ultraschall in HTSL(54-60), Thermodynamik, Magnetismus(61-68), Transporteigenschaften von HTSL(69-73), Spektroskopie, Ramanstreuung, param. Meissner-Effekt in HTSL(74-84), n-dotierte HTSL(85-91)

TT 19.70: Poster

Donnerstag, 20. März 1997, 15:30–19:00, Z1

Transversaler Seebeck-Effekt in Bi₂Sr₂CaCu₂O₈–Schichten — •Th. Zahner¹, R. Schreiner¹, R. Stierstorfer¹, W. Huber¹, O. Kus¹, S. Li², E. Arenholz², D. Bäuerle², W. Prettl¹ und H. Lengfellner¹ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²Institut für Angewandte Physik, Johannes-Kepler-Universität Linz, A-4040 Linz

Auf schräg zur kubischen Achse geschnittenen SrTiO₃-Substratkristallen wurden Bi₂Sr₂CaCu₂O₈-Schichten mittels Laserablation aufgebracht. Je nach Substratschnitt konnte ein Kippwinkel α bis maximal ∼ 15 Grad zwischen der c-Achse der Bi₂Sr₂CaCu₂O₈-Schicht und der Oberflächennormalen der Schicht erzielt werden. Infolge der thermoelektrischen Anisotropie des Schichtmaterials fuehrt ein Temperaturgradient senkrecht zur Schichtoberfläche zu einer transversalen elektrischen Spannung, die an Oberflächenkontakten auf der Schicht abgegriffen werden kann. Mit Hilfe des thermoelektrischen Response, hervorgerufen durch Bestrahlung der Schicht mit gepulster oder kontinuierlicher Laserstrahlung, wurde die thermoelektrische Anisotropie Δ S = ∣ S_ab − S_c ∣ von Bi₂Sr₂CaCu₂O₈-Schichten in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht und mit Messungen der Thermokraft S_ab, S_c in ab- bzw. c-Richtung von Einkristallen verglichen.