Münster 1997 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 2: Supraleitung in Hochfrequenz und Elektronik

TT 2.7: Talk

Monday, March 17, 1997, 11:45–12:00, F2

Fortschritte in der Entwicklung von HTS Quasi-Teilchen Injektionskontakten — •C.W. Schneider¹, R. Schneider¹, R. Moerman², G. Gerritsma² und H. Rogalla² — ¹Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, D-76021 Karlsruhe — ²Univ. of Twente, Dept. of Appl. Phys., Enschede, NL

Quasi-Teilchen-Injektionskontakte als Dreitor-Bauelement basierend auf Hochtemperatursupraleitern sind von potentiellem Interesse als schnelle Stromschalter oder digitale Schaltelemente. Ein Grund, warum dieser supraleitende Transistor bisher wenig Interesse findet, ist die für HTS mangelnde Auswahl an geeigneten Tunnelbarrieren, um eine entsprechende Strom- bzw. Spannungsverstärkung zu erzielen. Theoretischen Überlegungen zufolge ist ein Stromgewinn von 100 denkbar, praktisch wurden weniger als 10 realisiert. In einer Reihe von Experimenten untersuchten wir planare Quasi-Teilchen-Injektionskontakte mit (001), (103) und (110) YBa₂Cu₃O₇ als HTS-Supraleiter. Die Eigenschaften der untersuchten Transistoren bezüglich Strom- und Spannungsgewinn werden vorgestellt. Die dabei verwendeten Barrieren waren eine natürliche Barriere, SrTiO₃, PrBa₂Cu₃O₇ sowie Ga-gedoptes PrBa₂Cu₃O₇. Der bisher höchste Stromgewinn für eine natürliche Barriere war 6 bei 40 K.