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TT: Tiefe Temperaturen
TT 6: Postersitzung I: Mesoskopie(1-21), amorphe Metalle und Defektsysteme(22-29), Kryotechnik, Kernmagnetismus(30-37), festes N2(38), Quantenflüssigkeiten und -kristalle(39-48), dünne supraleitende Filme(49-68), schwere Fermionen und Kondosysteme(69-92), Fullerene(93-94)
TT 6.60: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 09:30–13:00, Z1
Passivierung von YBCO-Bauelementen mittels plasmapolymerisierter Si-C-H-O-N Schichten — •K. Heinicke, L. Mex, A. Krämer, C. Francke und J. Müller — AB Halbleitertechnologie, TU Hamburg-Harburg, Eißendorferstr. 42, D-21073 Hamburg
Für Bauelemente aus dem Hochtemperatursupraleiter YBCO, wie z.B. Josephson Kontakte und SQUIDs, wurden Passivierungsschichten entwickelt. Diese werden mittels plasmaunterstützter Abscheidung aus der Gasphase (PECVD) direkt auf den YBCO-Strukturen abgeschieden, die dadurch unempfindlich gegenüber Kondensation von Wasser sowie Vereisung beim thermischen Zykeln werden. Darüberhinaus wird die Langzeitstabilität der Bauelemente, u.a. durch Verhinderung der Ausdiffusion von Sauerstoff, verbessert. Bei der Plasmapolymerisation findet die siliziumorganische Verbindung Hexamethyldisilizan (HMDS-N) Verwendung, womit dünne, amorphe Si-C-H-O-N Schichten (200nm) abgeschieden werden. Dabei lassen sich durch Variation der Prozeßparameter polymerartig weiche bis glasartig harte Schichten erzielen. Die Einflüsse der Abscheideparameter auf die Passivierungseigenschaften und elektrischen Eigenschaften der Bauelemente werden vorgestellt. Zudem wurden Rasterkraftmikroskopie und Infrarotspektroskopie zur Untersuchung der Si-C-H-O-N Schichten herangezogen, um ihre Oberflächeneigenschaften und ihre Zusammensetzung zu analysieren und um Rückschlüsse auf ihre Passivierungseigenschaften ziehen zu können.