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TT: Tiefe Temperaturen

TT 6: Postersitzung I: Mesoskopie(1-21), amorphe Metalle und Defektsysteme(22-29), Kryotechnik, Kernmagnetismus(30-37), festes N₂(38), Quantenflüssigkeiten und -kristalle(39-48), dünne supraleitende Filme(49-68), schwere Fermionen und Kondosysteme(69-92), Fullerene(93-94)

TT 6.8: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 09:30–13:00, Z1

Herstellung und Charakterisierung von Nb-InGaAs/InP-Nb Kontakten — •K. Neurohr, Th. Schäpers, A. Kaluza, H. Hardtdegen, G. Crecelius und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Wir präsentieren Messungen an Supraleiter/zweidimensionales Elektronengas (2DEG)/Supraleiter Kontakten, bei denen sich das 2DEG in einer verspannten In_0.77Ga_0.23As-Schicht befindet. Die Supraleiterelektroden aus Niob wurden in einem selbstjustierenden Prozess aufgebracht, der es ermöglicht, Elektrodenabstände von 150 nm zu erzielen. Dabei wurden die in den Halbleiter zu übertragenden Strukturen mit einem 30 keV Elektronenstrahl in einen Negativlack (AZ PN 114) geschrieben. Dieser diente dann als Ätzmaske für das reaktive Ionenätzen. Das 80 nm tief liegende 2DEG wurde nachfolgend mit aufgedampften Niob an den Ätzflanken kontaktiert. Die Trennung der beiden Niobelektroden erfolgt durch einen Lift-off Prozeß mit dem Elektonenstrahllack. An den so präparierten Strukturen wurde der differentielle Widerstand in Abhängigkeit von der angelegten Spannung untersucht. Dabei wurde Andreev-Reflektion beobachtet.