Münster 1997 – scientific programme
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 6: Postersitzung I: Mesoskopie(1-21), amorphe Metalle und Defektsysteme(22-29), Kryotechnik, Kernmagnetismus(30-37), festes N2(38), Quantenflüssigkeiten und -kristalle(39-48), dünne supraleitende Filme(49-68), schwere Fermionen und Kondosysteme(69-92), Fullerene(93-94)
TT 6.9: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 09:30–13:00, Z1
Präparation und Messung von Supraleiter/Halbleiter/Supraleiter-Kontakten im Materialsystem Niob-InGaAs/InP-Niob — •A. Kaluza, Th. Schäpers, K. Neurohr, H. Hardtdegen, G. Crecelius, A. van der Hart und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich
Mittels doppelt justierter Elektronenstrahllithographie wurden Supraleiter/zweidimensionales Elektronengas (2DEG)/Supraleiter-Kontakte, deren Breite zwischen 300 nm und 800 nm lag, hergestellt. Das 2DEG befindet sich in einer verspannten In0.77Ga0.23As-Schicht. Um eine gute elektrische Ankopplung der Supraleiter an das 2DEG zu erreichen, wurden die Grenzflächen vor dem Aufbringen des Niobs durch Argon-Sputtern gereinigt. Die Kontakte zeigten alle dieselben ausgeprägten Subgap-Strukturen, die durch vielfache Andreev-Reflektionen hervorgerufen werden. Eine genauere Analyse der Stukturen deutet auf eine zusätzliche, normalleitende Schicht an der Grenzfläche zwischen Supraleiter und 2DEG hin. Bei den Kontakten, deren Breiten unterhalb von 600 nm lag, wurden durch den Proximity-Effekt induzierte Supraströme beobachtet. Die IcRN-Produkte dieser Kontakte lagen zwischen 60 und 80 µV. In Abhängigkeit von der Temperatur und vom Magnetfeld wurden die kritischen Ströme der Kontakte untersucht.