Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
TT: Tiefe Temperaturen
TT 7: Josephson-Kontakte
TT 7.5: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 11:15–11:30, F2
Josephson-Kontakte und Josephson-Vortex-Flow-Transistoren auf Bi2Sr2Can−1CunO2(n+2)+δ-Basis — •U. Frey, M. Blumers, K. Üstüner, J.C. Martinez und H. Adrian — Johannes-Gutenberg Universität Mainz, Staudinger Weg 7, 55099 Mainz
Wir untersuchen Cooper-Paar- und Quasiteilchen-Tunneln an künstlichen Bi2Sr2Ca1Cu2O8+δ und Bi2Sr2Ca2Cu3O10+δ Korngrenzen. Dazu werden epitaktische Filme durch DC-Hochdruck Sputtern auf SrTiO3 Bikristall Substraten deponiert. Die Strukturierung der Stege mit Linienbreiten ≥ 2µm erfolgt mit Photolithographie und Ionenstrahlätzen. Bei Josephson-Kontakten die auf Bi2Sr2Ca1Cu2O8+δ basieren beträgt das IcRn Produkt 0.2mV bei 4.2K auf 24∘ Korngrenzen. Messungen der Magnetfeldabhängigkeit zeigen die sehr inhomogene Verteilung des Josephson Stromes. Kontakte aus Bi2Sr2Ca2Cu3O10+δ haben auf 36.8∘ Korngrenzen ein IcRn Produkt von 0.7mV bei 4.2K und die Verteilung des Stromes ist relativ homogen. Durch Einstrahlung von Mikrowellen kann der kritische Strom vollständig unterdrückt werden und Shapiro Stufen bilden sich aus. Quasiteilchen-Tunnelmessungen deuten auf einen SIS-artigen Kontakt mit geringer Absenkung des supraleitenden Ordnungsparameters nahe der Korngrenze hin. Als Gapspannung erhält man Vg=2Δ(0)/e ≈ 45mV und 2Δ (0)/kBTc ≈ 5. Die Bi2Sr2Ca2Cu3O10+δ Korngrenzen dienen als Basis für Josephson-Vortex-Flow-Transistoren, deren wichtigsten Kenngrößen vorgestellt werden.
Dieses Projekt wird gefördert durch BMBF (FZ 13N6916)