Münster 1997 – scientific programme
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 7: Josephson-Kontakte
TT 7.9: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 12:15–12:30, F2
Nb/p-Typ InAs/Nb Josephson-Kontakte mit hohen IcRN-Produkten — •A. Chrestin und U. Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg
Wir stellen eine experimentelle Untersuchung des dc Josephson-Effekts in Nb/p-Typ InAs/Nb Josephson-Kontakten mit kurzen Elektrodenabständen vor. Unter Verwendung eines anodischen Nioboxid-Films als Spacer wurden Kontakte mit Abständen zwischen den Nb-Elektroden zwischen 20 nm und 80 nm hergestellt. Der Stromtransport findet durch den natürlichen Inversionskanal an der Oberfläche des p-Typ InAs statt. Es werden reproduzierbar IcRN-Produkte von etwa 1 mV erreicht. Wir finden einen deutlichen Zusammenhang zwischen der Transparenz der Nb/InAs Grenzflächen und der Größe des IcRN-Produkts. Die gemessene Temperaturabhängigkeit des kritischen Stromes kann gut durch ein theoretisches Modell beschrieben werden, das eine starke Beeinflussung des Inversionskanals unterhalb der Nb-Elektroden durch den Proximityeffekt berücksichtigt.