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VA: Vakuumphysik und Vakuumtechnik

VA III: HV III

VA III.1: Hauptvortrag

Dienstag, 18. März 1997, 14:30–15:10, ZH

Forschungsorientierte Elektronenstrahllithographie — •R. Jede — Raith GmbH

Elektronenstrahl-Litographiesysteme auf der Basis von Rasterelektronenmikroskopen sind für Anwendungen in Foschung und Entwicklung seit mehreren Jahren im Einsatz. Ihre ursprüngliche Anwendung zur Strukturierung von einzelnen mesoskopischen Bauelementen hat sich durch eine dynamische Wechselbeziehung zwischen physikalischen Anforderungen und gerätetechnischen Weiterentwicklungen auf Bereiche der IC-Entwicklung und der integrierten Optik ausgedehnt. Treibende Kräfte waren hierbei neue Anforderungen hinsichtlich der minimalen Strukturbreiten, der Komplexität, Ausdehnung und geometrischen Qualität der Belichtungsmuster sowie der Integrierbarkeit in bekannte prozesstechnische Schritte. Entscheidende Fortschritte in der Gerätetechnik waren hierbei, neben der Verbesserung der Sondendurchmesser auf wenige nm, die Entwicklung kompakter interferometrisch kontrollierter Probenbühnen, die sowohl ein abschnittsweises, präzises Zusammensetzen von einzelnen Belichtungsfeldern als auch ein kontinuierliches Belichten während der Fahrt erlauben. Die im Rahmen dieses Beitrags diskutierten Anwendungsbeispiele reichen von der Herstellung von Einzel-Elektronen-Bauelementen mit Linienbreiten unter 25 nm bis zur Prozessentwicklung für ultraschnelle Feldeffekttransistoren in “Mix an Match”-Technik zusammen mit optischer Lithographie.