Bayreuth 1998 – wissenschaftliches Programm

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K: Kurzzeitphysik

K 8: Hochleistungs-/Impulssysteme, pulsformende Elemente und Schalter

K 8.10: Vortrag

Donnerstag, 12. März 1998, 14:15–14:30, H8

Einsatz von Halbleiterkarbiden in Pseudofunkenschaltern — •Ch. Bickes, V. Arsov, E. Dewald, U. Ernst, K. Frank, M. Iberler, J. Meier, U. Prucker, A. Rainer, M. Schlaug, J. Schwab, J. Urban, W. Weisser und D.H.H. Hoffmann — Physikalisches Institut Abt. I, Universität Erlangen-Nürnberg

Bei der Entwicklung von Hochstrom-Pseudofunkenschaltern treten vielfältige Fragestellungen auf. Eine davon ist die Elektrodenerosion, die die Lebensdauer von Pseudofunkenschaltern begrenzt. Um einen ausdauernden und zuverlässigen Schalterbetrieb zu gewährleisten, bietet sich der Einsatz von halbleitenden Materialien für Elektroden an. Diese zeichnen sich dadurch aus, daß die Entladung nahezu homogen verteilt über die gesamte Elektrodenoberfläche brennt und es nicht zur Ausbildung eines kontrahierten Metalldampfbogens kommt, welcher den Hauptbeitrag zu den beobachteten Erosionserscheinungen liefert. Besonders interessant ist im Hinblick auf ’sealed-off’-Schalter der Einfluß von abladierendem Elektrodenmaterial auf die Charakteristik des eingebauten Wasserstoff-Reservoirs. Durch die möglicherweise in der Entladung gebildeten Kohlenwasserstoffe kann das Reservoir irreversibel geschädigt und seine Wir-kungsweise soweit beeinträchtigt werden, daß eine zuverlässige Funktion des Schalters nicht mehr möglich ist. Erste Untersuchungen dieser Problematik werden vorgestellt.
Gefördert durch BMBF FKZ 13N6803