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K: Kurzzeitphysik

K 8: Hochleistungs-/Impulssysteme, pulsformende Elemente und Schalter

K 8.5: Vortrag

Donnerstag, 12. März 1998, 11:00–11:15, H8

Untersuchungen zur Verbesserung der Spannungsfestigkeit von Pseudofunkenschaltern — •U. Ernst, C. Bickes, J. Christiansen, K. Frank, D.H.H. Hoffmann, M. Iberler, J. Meier, U. Prucker, A. Rainer, M. Schlaug, J. Schwab, A. Schwandner, J. Urban, and W. Weisser — Phys. Inst. I, Univ. Erlangen-N"urnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen

Bei Betriebsspannungen von mehr als 30 kV treten Probleme mit der Hochspannungsfestigkeit von einstufigen Pseudofunkenschaltern auf. Deshalb wurde im Rahmen eines Industie- und Forscherverbundes untersucht, inwieweit die Spannungsfestigkeit, durch geeignete Konditionierungsma"snahmen oder durch das Einbringen einer zus"atzlichen Elektrode in den Entladezwischenraum, verbessert werden kann. Dabei stellte sich heraus, da"s mit Hilfe dieser Zwischenelektroden Z"undspannungswerte von mehr als 50 kV erreichbar sind. Mit solchen Schaltern kann bei gegebener Spannung, im Vergleich zu Einstufenschaltern, bei h"oherem Gasdruck gearbeitet werden. Mit kapazitiven und ohmschen Hilfsbeschaltungen ist es m"oglich zweistufige Schaltsysteme mit kleinem Delay und Jitter zuverl"assig zu schalten. Ein solches Schalterkonzept stellt dadurch eine preisg"unstige Alternative zu herk"ommlichen Mehrstufenschaltern oder Luftfunkenstrecken dar. Es werden optische und elektrische Messungen zur Optimierung der Schaltergeometrie dargestellt.
⋆) gef"ordert durch die BMBF FKZ 13N6803