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T: Teilchenphysik

T 111: Halbleiterdetektoren I

T 111.5: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:30–17:45, HS K

Untersuchungen zur Strahlenhärte von integrierten GaAs Streifendetektoren — •Ch. Röper, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, St. König, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, C. Rente, A. Siemes, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao — I. Physikalisches Institut der RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 14, 52074 Aachen

In Hinblick auf den langjährigen Einsatz von ortsauflösenden Spurdetektoren im CMS Experiment am LHC wird die Strahlenhärte von SI-GaAs Detektoren mit integrierten Ladewiderständen und Kopplungskapazitäten untersucht. Wichtige detektorrelevante Eigenschaften wie Ladungsausbeute und Signal-Rauschverhältnis lassen sich dabei aus Strom-Spannungs Kennlinien und Ladungsspektren entnehmen. Es wird der Einfluß von Bestrahlungen mit bis zu 10¹⁵n/cm² auf unterschiedliche Technologien und Materialien untersucht und beschrieben.