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T: Teilchenphysik

T 111: Halbleiterdetektoren I

T 111.6: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:45–18:00, HS K

Untersuchung der Strahlungshärte von GaAs-Teilchendetektoren — •Markus Rogalla, R. Geppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, K. Runge und A. Söldner-Rembold — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, 79104 Freiburg i.Br.

Der Einfluß des Kompensationsmechanismus in semi-isolieredem GaAs auf die Strahlungshärte von Detektoren wurde untersucht. Eine Modellierung der Strahlungsschäden erklärt die Variation des Leckstroms und der Ladungsausbeute mit dem nicht ionisierenden Energieverlust.