Freiburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 211: Halbleiterdetektoren II

T 211.6: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 09:55–10:10, HS K

Pixeldetektor - Auslese in in Honeywell RICMOS4 Technologie — • W. Karpinski, J. Breibach, K. Lübelsmeyer und G. Pierschel — I.Physikalisches Institut der RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 14, 52074 Aachen

Es werden Untersuchungen bezüglich der Einsatzfähigkeit der Honeywell SOI CMOS Technologie für eine Pixel-Ausleseelektronik vorgestellt. Dabei werden Messungen der DC-, AC- und Rauschparameter der in im RICMOS4 Prozeß hergestellten Transistoren vor und nach Bestrahlung mit ⁶⁰Co bis zu einer Dosis von 55Mrad vorgestellt. Die komplette Auslese für einen Pixel-Detektor mit 22x32 Pixeln wurde in dieser Technologie implementiert. Diese Schaltung ist eine modifizierte Version des PS131 Chips (R. Horisberger, PSI Villigen), der in DMILL Technologie hergestellt worden ist.
Die Schaltungsarchitektur sowie ein Vergleich der beiden Technologien im Hinblick auf die Anwendung für die Pixel-Ausleseelektronik werden diskutiert.