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T: Teilchenphysik

T 511: Halbleiterdetektoren IV

T 511.8: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 18:15–18:30, HS K

Untersuchung von Strahlenschäden in hochohmigen Siliziumdioden mit Hilfe der laserinduzierten C-DLTS Methode — •M. Kuhnke, E. Fretwurst, H. Feick, G. Lindström und M. Moll — II. Inst. f. Experimentalphysik, Nukleare Meßtechnik Univ. Hamburg, Luruper Chaussee 149, DESY Gebäude 67b, D-22761 Hamburg

Strahleninduzierte Defekte in hochohmigen Siliziumdioden können mit Hilfe der Kapazitäts-Deep-Level-Transient-Spektroskopie (C-DLTS) untersucht werden. C-DLTS erlaubt die Bestimmung der energetischen Lage der Defektniveaus in der Bandlücke und deren Einfangs- und Emissionskoeffizienten. Beim Standardverfahren zur Füllung der Defektniveaus werden nur Majoritätsladungsträger eingefangen. Das laserinduzierte Füllen ermöglicht dagegen auch den Einfang von Minoritätsladungsträgern. Durch die Verwendung von unterschiedlichen Füllverfahren gelingt es, die Parameter der Defektniveaus in der gesamten Bandlücke vollständig zu bestimmen.
Es werden erste laserinduzierte C-DLTS-Messungen an n-Material vorgestellt und der Einfluß von Minoritätsladungsträgereinfang und -emission auf die Simulation von makroskopischen Detektorparametern diskutiert.