Konstanz 1998 – wissenschaftliches Programm

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Q: Quantenoptik

Q 49: Halbleiterlaser

Q 49.1: Fachvortrag

Donnerstag, 19. März 1998, 14:00–14:30, P 602

Vertikallaserdioden — Physik und Anwendung — •R. Michalzik, D. Wiedenmann, B. Weigl, P. Schnitzer, W. Schmid, R. King, C. Jung, R. Jäger, M. Grabherr und K. J. Ebeling — Universität Ulm, Abteilung Optoelektronik, Albert–Einstein–Allee 45, D–89069 Ulm

Vertikallaserdioden haben sich in der Gemeinschaft der Halbleiterlaser mittlerweile fest etabliert und werden sogar als aktive Bauelemente der Wahl für Anwendungen in der optischen Verbindungstechnik angesehen. Massgeblich hierfür sind herausragende Eigenschaften wie Schwellströme im sub–mA–Bereich, Leistungs–Konversionseffizienzen jenseits von 50 % bei wenigen mW Ausgangsleistung [1] und die Möglichkeit zur Grosssignalmodulation mit Datenraten von bis zu 10 Gbit/s [2]. In diesem Beitrag werden die Funktionsprinzipien und Charakteristiken realisierter Vertikallaserdioden mit Emissionswellenlängen im Bereich von 850 bis 980 nm im Hinblick auf die Erzielung hoher Konversionseffizienzen erläutert und neueste Ergebnisse, beispielsweise zur vorstromfreien Datenübertragung bei 2.5 Gbit/s Datenrate oder der Herstellung zweidimensionaler Laserarrays mit Ausgangsleistungen von grösser als 500 mW vorgestellt.

[1] B. Weigl et al., J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 409 (1997)

[2] R. Michalzik et al., J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 396 (1997)