Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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AKE: Arbeitskreis Energie der DPG

AKE 10: Photovoltaik II

AKE 10.3: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 15:15–15:30, H32

Chemische und elektrische Eigenschaften der CuGaSe₂/CdS–Grenzfl"ache — •V. Nadenau and H.W. Schock — Institut f"ur physikalische Elektronik, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, D-70569 Stuttgart

Heterostrukturen aus CuGaSe₂/CdS/ZnO eignen sich auf Grund des hohen Absorptionskoeffizienten des CuGaSe₂ mit einem direkten Band-abstand von 1.68eV prinzipiell ebenso zur Herstellung von D"unnschicht- solarzellen wie CuInSe₂ basierte Strukturen. Die Eigenschaften der CuInSe₂- und CuGaSe₂-Oberfl"achen unterscheiden sich, und damit die Rahmenbedingungen f"ur die Bildung von Heterojunctions, jedoch wesentlich. Im Gegensatz zum CuInSe₂ bestimmen die Pr"aparationsbedingungen der CuGaSe₂ Absorberschicht sowie Oxidationsprozesse der Oberfl"ache ma"sgeblich den Transport- und Rekombinationsmechanismus "uber den Hetero"ubergang und damit die Leerlaufspannung der Solarzelle. Photoelektronenspektroskopische Messungen zeigen die Ver"anderungen der Oberfl"ache auf. Messungen der Transporteigenschaften durch temperatur- und intensit"atsabh"angige Strom- Spannungkennlinien, sowie Bestimmung der Defektverteilung durch Admittanzspektroskopie demonstrieren die Korrelation zwischen chemischen Ver"anderungen und elektrischen Eigenschaften der CuGaSe₂/CdS Grenzfl"ache.