Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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AKE: Arbeitskreis Energie der DPG
AKE 7: Photovoltaik I
AKE 7.3: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 10:45–11:00, H32
Präparation und Charakterisierung von umgeschmolzenen Schichten für die Solarzellentechnologie — •K. Schmidt und C. Hebling — Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme, Freiburg
Die Entwicklung und Verbesserung der Dünnschichtsolarzelle ist ein innovatives Arbeitsgebiet auf dem Weg zur Herstellung einer kostengünstigen und hochleistungsfähigen Solarzelle. Die dünnen Siliciumschichten (ca. 30µ m), die das p-Material der Solarzelle darstellen, sind nicht selbsttragend und werden daher auf einem Substratmaterial, bedeckt mit einer perforierten SiO2− Schicht, aus der Gasphase abgeschieden. Zur Verbesserung der kristallographischen und elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht wurde in unserer Arbeit ein Rekristallisationsschritt untersucht, bei dem die Schichten mit Hilfe eines optisch geheizten Ofens ganzflächig bis zu einer bestimmten Tiefe aufgeschmolzen und gezielt rekristallisiert werden. Vorgestellt wird die Funktionsweise des automatisierten Umschmelzalgorithmus, der das Erreichen des Schmelzpunktes selbständig detektiert. Außerdem wurden die Auswirkungen verschiedener Siliciumsubstrate auf das Umschmelzverhalten und die Schichtqualität mit kristallographischen Methoden wie Defektätzen, Röntgenbeugungsanalyse und Massenspektrometrie untersucht. Der Einblick in die elektrischen Schichteigenschaften wurde durch SPV- und EBIC-Messungen gewonnen. Nach der Weiterverarbeitung zu Solarzellen konnten die Solarzellenparameter vermessen und durch LBIC-Messungen ortsaufgelöst mit der Defektverteilung verglichen werden.