Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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AKE: Arbeitskreis Energie der DPG
AKE 7: Photovoltaik I
AKE 7.4: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:00–11:15, H32
Diffusion von 3d-Metallen durch dielektrische Barriereschichten für kristalline Silicium Dünnschicht-Solarzellen — •S. Reber und C. Hebling — Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme, Freiburg
Eine grundlegende Forderung, die im Zusammenhang mit kristallinen Silicium Dünnschicht-Solarzellen genannt wird, ist die Forderung nach einem billigen Substrat. Dies bedingt i. A. jedoch, daß zur Herstellung dieser Substrate keine Rohstoffe verwendet werden können, die in ihrer Reinheit Halbleiteranforderungen genügen. Um die Diffusion metallischer Verunreinigungen - größtenteils 3d-Metalle - aus dem Substrat in die photovoltaisch aktive Silicium-Schicht zu verhindern, werden dielektrische Schichten als Diffusionsbarriere eingesetzt. Dieser Beitrag zeigt erste Ergebnisse, wie Barriereschichten die stattfindende Verunreinigungsdiffusion bei Temperaturen bis über 1400∘C in realisierten kristallinen Silicium Dünnschicht-Solarzellen unterdrücken. Der Focus soll dabei auf SiO 2 - und SiN-Schichten liegen, die mit plasmaunterstützter Gasphasenabscheidung auf SiSiC-Substraten deponiert wurden.