Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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AKE: Arbeitskreis Energie der DPG

AKE 8: Postersitzung AKE

AKE 8.6: Poster

Dienstag, 24. März 1998, 12:00–13:00, H32

Sauerstoff-korrelierte Defekte in blockgegossenem multikristallinen Silicium — •Dieter Karg¹, C. Häßler², G. Pensl¹, M. Schulz¹ und W. Koch² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen — ²Bayer AG, Rheinuferstr. 7-9, D-47829 Krefeld

Die Lebensdauer von freien Ladungsträgern in Wafern aus dem Bodenbereich von blockgegossenem multikristallinen Silicium ist häufig reduziert. Aus diesen Wafern hergestellte Solarzellen haben jedoch nur geringfügig niedrigere Wirkungsgrade als Solarzellen aus der Mitte des Blocks. Mittels DLTS, Hall Effekt, FTIR und Lebensdauermessungen konnte gezeigt werden, daß für die reduzierte Lebensdauer im Bodenbereich vorwiegend Sauerstoff-korrelierte Defekte (z.B. Thermische Donatoren) verantwortlich sind. Diese Defekte entstehen während der Abkühlung des Blocks im Temperaturbereich von 300^∘C bis 600^∘C. Durch die Vernichtung dieser Defekte bei Temperaturen über 600^∘C steigt die Lebensdauer im bodennahen Bereich an. Bei der Solarzellenprozessierung werden Temperaturen über 600^∘C angewendet; somit kann der nur geringfügig erniedrigte Wirkungsgrad von Solarzellen aus dem Bodenbereich mit der Vernichtung Sauerstoff-korrelierter Defekte erklärt werden.