Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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AM: Magnetismus

AM 11: Postersitzung

AM 11.59: Poster

Dienstag, 24. März 1998, 16:15–20:00, B

Magnetische in-plane Anisotropie von epitaktischem Fe(001) auf GaAs(001) — •M. Brockmann, M. Zölfl, S. Miethaner und G. Bayreuther — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Es wurden Wachstum und die Dickenabhängigkeit der magnetischen in-plane Anisotropie von Fe(001)-Schichten auf GaAs(001) in einen Bereich von 5...75ML untersucht. Die Fe (001) Schichten wurden mittels Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt, in-situ mit RHEED, LEED, Augerspektroskopie und STM charakterisiert und anschließend mit Au abgedeckt. Die magnetische in-plane Anisotropie wurde mit einem Wechselgradienten-Magnetometer (AGM) untersucht. Man findet einen uniaxialen Anteil und einen mit vierzähliger Symmetrie. Durch die Auftragung gegen die reziproke Schichtdicke werden Volumen- und Grenzflächenbeiträge separiert. Die uniaxiale Anisotropie mit einem Anisotropiefeld bis zu 1,2 kOe erweist sich als reiner Grenzflächeneffekt, der auf die strukturelle Anisotropie der GaAs(001)-Oberfläche zurückgeführt werden kann. Der vierzählige Volumenanteil ist im Einklang mit der kubischen Anisotropie des massiven α-Eisens. Der entsprechende Grenzflächenanteil hat das entgegengesetzte Vorzeichen, was zu einem Verschwinden der vierzähligen Anisotropie bei 6 ML führt.