Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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AM: Magnetismus

AM 9: Dünne magnetische Schichten und Vielfachschichten, magnetooptische Schichten II

AM 9.3: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 15:30–15:45, H10

Thermisch induzierte Austauschkopplung in magnetischen Vielfachschichten mit Halbleitern — •P. WALSER, S. LÜSCHER und M. LANDOLT — Laboratorium für Festkörperphysik, ETH Zürich, CH-8093 Zürich

Schichtsysteme mit Ferromagneten und halbleitenden Zwischenschichten weisen eine erstaunliche Eigenschaft auf: Zwischen den ferromagnetischen Schichten findet man tatsächlich eine stark dickenabhängige effektive Austauschkopplung [1]. Besonders bemerkenswert ist, dass diese Kopplung eine Temperaturabhängigkeit mit einem ausgeprägt positiven Temperaturkoeffizienten zeigt [2]. In diesem Beitrag zeigen wir die neuesten Entwicklungen auf. Wir führen neue Zwischenschichtmaterialien ein: Ge und Ge-Si-Mischungen. Auch auf einkristallinen Substraten finden wir neuerdings reversibel thermisch induzierte Austauschkopplung. Gleichzeitig werden entscheidende Schritte hin zu einem Verständnis der Kopplung präsentiert. Unsere Befunde für Schichtsysteme mit Germanium deuten auf eine wichtige Rolle der Halbleiter-Metall-Grenzflächen hin. Mit magnetischen und struktursensitiven Methoden untersuchen wir die Bedingungen an diesen Grenzflächen und erarbeiten auf diese Weise wichtige Zusammenhänge über den Kopplungsmechanismus.

[1] S. Toscano, B. Briner, H. Hobster, and M. Landolt, J. Magn. Mag. Mater. 114, L6 (1992)

[2] B. Briner and M. Landolt Phys. Rev. Lett. 73, 340 (1994)