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DF: Dielektrische Festkörper

DF 4: Elektrische und optische Eigenschaften II

DF 4.3: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 15:10–15:30, H11

Elektronische Phasenrelaxation und E-Feld-induzierte Niveauverschiebungen von Defektaggregaten in neutronenbestrahltem Diamant — •Reinhard Bauer und Udo Bogner — Universität Regensburg, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg

Mit der laserspektroskopischen Methode des stabilen spektralen Lochbrennens wurden in neutronenbestrahltem Diamant die optischen Übergänge mit Nullphononlinien im nahen IR (bei 774 nm und 813 nm) untersucht. Für stark unterschiedliche Neutronendosis wurde die Temperaturabhängigkeit der Lochbreite Γ_h von 1,5 K bis 300 K und die in [110]-Richtung am stärksten ausgeprägte Aufspaltung in 3 Lochkomponenten gemessen. Der E-Feld-Effekt liegt um 2 Grössenordnungen über dem von Sm²⁺-dotiertem Boratglas [1] - einem weiteren Material für spektrales Lochbrennen bei Zimmertemperatur. Der Vergleich der Details des E-Feld-Effekts mit den entsprechenden Werten des bekannten N3-Defektes und die Struktur der Phononseitenbande führen zu der Annahme, dass die untersuchten Farbzentren aus Defektaggregaten bestehen in denen N-Atome kovalent an das Gitter gebunden sind. Diese starke Bindung liefert auch die Grundlage für ein Modell zur Erklärung der beobachteten T³-Abhängigkeit von Γ_h auf Grund der Verkürzung der elektronischen Phasenrelaxationszeit die durch die Streuung von delokalisierten Phononen hervorgerufen wird.
Zitat1A. Birner, R. Bauer, and U.Bogner, J. Lumin. 72, 162 (1997)