Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 1: Ionenimplantation I

DS 1.3: Fachvortrag

Montag, 23. März 1998, 10:00–10:15, H 31

Herstellung vergrabener MoSi₂-Schichten in Si durch Ionenstrahlsynthese — •J.K.N Lindner, S. Thoma und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, Memmingerstraße, D-86135 Augsburg

Nach Implantation von Silizium mit 180 keV ⁹⁶Mo-Ionen bei einer Dosis von 1·10¹⁷ Mo/cm² unter Nicht-Channeling-Bedingungen und bei einer Implantationstemperatur von 60 ^∘C ergeben RBS und XTEM-Untersuchungen die Bildung einer inhomogenen, amorphen, molybdänreichen Schicht, bei der das Konzentrationsmaximum deutlich unter der Oberfläche liegt. Dies läßt erkennen, daß die Sputtererosion nicht die Bildung vergrabener Metallsilizidschichten verhindert. Bei einer Targettemperatur von 500 ^∘C zeigen XTEM-Untersuchungen die Bildung einer kristallinen, vergrabenen MoSi₂-Schicht. Sie liegt in der hexagonalen Modifikation vor und weist eine deutliche Textur auf. Die Schicht ist bei einer Dosis von 1·10¹⁷ Mo/cm² im Zustand nach der Implantation diskontinuierlich und von einer breiten Verteilung kleiner Ausscheidungen im Siliziumwirtsgitter umgeben. In diesem Beitrag werden erstmals XTEM-Untersuchungen zur Struktur vergrabener, ionenstrahlsynthetisierter MoSi₂-Schichten für verschiedene Dosen und nach Temperbehandlung vorgestellt.