Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 1: Ionenimplantation I
DS 1.5: Fachvortrag
Montag, 23. März 1998, 10:30–10:45, H 31
Optische Untersuchung der Strahlensch"adigung in Si(111) nach 4 MeV Ag Implantation — •J. Eder, J.K.N. Lindner, and B. Stritzker — Universit"at Augsburg, Institut f"ur Physik, 86135 Augsburg
Der Einsatz der Ionenimplantation zur gezielten Materialver"anderung setzt Kenntnisse "uber die im Target erzeugte Strahlensch"adigung voraus. Die Sch"adigung von Si(111) durch 4 MeV 108Ag++ Implantation bei Targettemperaturen von 210 K, 300 K und 400 K wird in Abh"angigkeit von der Dosis untersucht. Als Untersuchungsmethode wird das Verfahren zur tiefenaufgel"osten Messung der optischen Reflektivit"at am Schr"agschliff (Optical Reflectivity Depth Profiling) nach Heidemann verwendet. Das Strahlensch"adigungsmodell von Hecking et al. [1], das bereits auf verschiedene Ionensorten, wie z.B. N, Al, Si, Ni, und andere Halbleiter-Targetmaterialien erfolgreich angewendet wurde, beschreibt die Dosisabh"angigkeit der Sch"adigung im Maximum des Strahlensch"adigungsprofils. Die St"arke der beteiligten Defekterzeugungs- und Defektwechselwirkungsmechanismen wird dabei durch temperaturabh"angige Parameter wiedergegeben. Durch Vergleich mit den Modellparametern f"ur die leichteren Ionensorten gewinnt man die Masseabh"angigkeit der einzelnen Defekterzeugungs- und Defektwechselwirkungsmechanismen. [1] N. Hecking, K.F. Heidemann, and E. te Kaat, Nucl. Instr. and Meth. B15 (1986) 760