Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 12: Plasma- und Ionentechniken
DS 12.2: Fachvortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:30–11:45, H 34
Synthese von Siliziumoxid-Schichten durch Plasma-Immersions- Ionen-Implantation — •I. Großhans1, K. Volz1, W. Ensinger1, B. Rauschenbach1 und W. Assmann2 — 1Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg — 2Universität München, Sektion Physik, 85748 München
Die Plasma-Immersions-Ionen-Implantation (PIII) ist ein Verfahren mit dem die Oberflächen komplex geformter Körper sowohl durch das umgebende Plasma als auch durch eine Implantation der im Plasma enthaltenen Ionen modifiziert werden können.
Zur Synthese von Siliziumoxid-Schichten wurden Si-Wafer in einer PIII-Anlage mit 40-50 keV O+-Ionen bei einer Targettemperatur von 300-750∘C implantiert und anschließend getempert. Die O+-Ionen wurden aus einem H20-Plasma gewonnen, das gegenüber einem O2-Plasma den Vorteil besitzt, daß pro implantiertes O-Atom eine höhere Energie zu Verfügung steht. Um den Einfluß der verschiedenen Prozeßparameter zu untersuchen wurden Druck, Ionendichte, Ionenenergie und Temperatur variiert.
Die Proben wurden mittels Rutherford-Rückstreuung (RBS), Elastic-Recoil-Detection (ERD), Transmissionselektronenmikroskopie am Querschnitt (XTEM) und Spektralellipsometrie analysiert. Untersucht wurde der Einfluß der Prozeßtemperatur auf die Rekristallisationsrate sowie die Rolle des Wasserstoffs bei der Schichtbildung.