Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 12: Plasma- und Ionentechniken

DS 12.3: Fachvortrag

Dienstag, 24. März 1998, 11:45–12:00, H 34

Ausheilen von Strahlenschäden durch Ionenbestrahlung in U₃Si₂. — •Petra Meier und S. Klaumünzer — Hahn-Meitner-Institut, Glienickerstr.100, 14109 Berlin

Bei der Bestrahlung von Festkörpern mit Ionen verlieren die Ionen ihre Energie durch den nuklearen und den elektronischen Energieverlust (S_n bzw. S_e). Beide Prozesse beeinflussen die Schädigung des Festkörpers. Es konnte gezeigt werden, daß in U₃Si₂ S_n zur Amorphisierung bei ca. 0.3dpa führt, wenn man Ionen mit S_e≤8keV/nm verwendet. Für Projektile mit 18keV/nm≤S_e≤32keV/nm hingegen stellt sich ein stabiler Gleichgewichtswert der Schädigung zwischen Amorphisierung durch S_n und Rekristallisation durch S_e ein. Für U₃Si₂- Proben, die mit niederenergetischen Ionen über den Gleichgewichtswert hinaus vorgeschädigt wurden, zeigte sich bei der Nachbestrahlung mit hochenergetischen Ionen mit S_e=18keV/nm, daß die Vorschädigung soweit ausgeheilt wird, daß sich der Gleichgewichtswert wieder einstellt. Es konnte weiterhin gezeigt werden, daß die Rekristallisation nicht durch spontane Keimbildung erfolgt, sondern ein kristallines Interface benötigt.