Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 13: Sonstiges

DS 13.1: Fachvortrag

Dienstag, 24. März 1998, 15:45–16:00, H 34

Wasserstoffabsorption in Vanadium unter UHV-Bedingungen — •K.-H. Müller^1,2, G. Kiss³, M. Lammers¹ und H. Paulus¹ — ¹Institut für Technologie- und Wissenstransfer — ²FB Elektrische Energietechnik der Hochschulabt. Soest der Universität-GH Paderborn, Lübecker Ring 2, 59494 Soest — ³Technical University of Budapest

Im Rahmen der hier beschriebenen Untersuchungen sollte die Beladung einer Vanadiumprobe mit Wasserstoff unter UHV-Bedingungen und bei Raumtemperatur durchgeführt werden. Nach der üblichen Aktivierungsprozedur, teilweise aber auch während der Wasserstoff-Exposition, wurde die Probenoberfläche mit Argonionen (5 keV, 25 µA/cm²) gereinigt. Dadurch konnte die Sauerstoff-Oberflächenbelegung und die Wiederbedeckung mit Sauerstoff aus dem Restgas entfernt bzw. vermieden werden. Es ist bekannt, daß schon die Anwesenheit von weniger als einer Monolage Sauerstoff die Wasserstoff-Aufnahme in Vanadium blockiert. Mit Hilfe der thermischen Desorptions-Massenspektrometrie TDMS wurde die Wasserstoff-Aufnahme als Funktion der Expositionsdosis und des Wasserstoff-Partialdruckes bestimmt. Die Ergebnisse lassen sich mit Hilfe der Sieverts-Gleichung beschreiben. In H₂-TDMS Spektren nach Ionenbeschuß und anschließender Wasserstoff-Exposition wird ein zusätzlicher H₂-Desorptionspeak beobachtet. Durch den Ionenbeschuß wird die Kristallstruktur anscheinend derart gestört, daß weitere Absorptionsplätze für Wasserstoff geschaffen werden.