Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 19: Metallische Schichten II

DS 19.4: Fachvortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 14:45–15:00, H 31

Untersuchung epitaktischer Eigenschaften von Platin- und Iridiumsilizidschichten auf Silizium mit Beugung von Synchrotronstrahlung unter streifendem Einfall — •Christian Kumpf^1,2 und Eberhard Burkel² — ¹Lehrstuhl für Kristallographie, Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Lehrstuhl für Physik neuer Materialien, FB Physik, Universität Rostock

Platin- und Iridiumsilizide bilden auf Siliziumsubstrat Metall- Halbleiterkontakte, die eine Schottky-Barrierenhöhe von 0.1-0.25 eV aufweisen. Obwohl sie seit einigen Jahren erfolg- reich als Infrarot-Detektoren verwendet werden, sind die epitaktischen Eigenschaften und die Texturbildung der auf- tretenden Phasen, die wesentlichen Einfluß auf die Schottky- Barriere dieser Systeme haben, noch nicht im Detail verstanden. Wir haben daher Struktur, Textur und Epiaxie der Silizid- schichten sowie die Rauhigkeiten der Grenzflächen mit ober- flächensensitiven Methoden der Röntgenbeugung und -reflexion (grazing incidence diffraction (GID), Reflektometrie und Klein- winkelstreuung) untersucht. Es werden einige Ergebnisse von Messungen an den Systemen PtSi/Si(111), IrSi/Si(100) und Ir3Si4/Si(100) vorgestellt, die an den Beamlines W1, CEMO (C1) und JUSIFA (B1) am HASYLAB (Hamburg) zum Teil in situ während des Wachstumsprozesses der Silizide durchgeführt wurden.