Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 2: Ionenimplantation II

DS 2.4: Fachvortrag

Montag, 23. März 1998, 11:45–12:00, H 31

Niederenergetische Ionenstrahlen zur Oberflächen- und Materialbehandlung: STM-Messungen an Oberflächendefekten auf
Graphit(HOPG) nach Ionenimplantation — •S. Habenicht, W. Bolse und K.-P. Lieb — II. Physikalisches Institut, Georg-August-Universität Göttingen, Bunsenstr 7-9, 37073 Göttingen und Sonderforschungsbereich 345

Zur Erzeugung niederenergetischer Ionenstrahlen für die Oberflächenmodifikation von Festkörpern wurde der Beschleuniger IOSCHKA konstruiert, welcher homogene, massenseparierte Ionenstrahlen mit Energien von 5 eV bis 10 keV bei Flüssen von Einzelioneneinschlag (10⁹ cm⁻²s⁻¹) bis zu Hochstromimplantationen (10¹⁴ cm⁻²s⁻¹) ermöglicht [1]. Ionenenergien unterhalb von 500 eV werden durch elektrostatische Abbremsung zur Verfügung gestellt, die Energieunschärfe der abgebremsten Ionenstrahlen wurde zu 0.4 eV bestimmt. Mit verschiedenen Ionen (C-Au) unterschiedlicher Energie bestrahlte Graphit(HOPG)-Spaltflächen wurden mit Hilfe von STM untersucht. Es werden hügelartige Defekte einer Ausdehnung von 2-5 nm beobachtet, die im Vergleich mit Ergebnissen von Bestrahlungen bei höherer Energie (≥ 50 keV) diskutiert werden [2,3].

[1] S. Habenicht, W. Bolse, K.P. Lieb, NIM B, eingereicht

[2] W. Bolse, K.P. Reimann, U. Geyer, K.P. Lieb, NIM B 118, 488 (1996)

[3] K.P. Reimann, W. Bolse, U. Geyer, K.P. Lieb, Europhys. Lett. 30, 463 (1995)