Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 20: Elektrische Eigenschaften

DS 20.1: Fachvortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 15:15–15:30, H 31

AES und EELS an thermochromen Vanadiumdioxid-Dünnschichten — •W. Niessner, T. Christmann, B. K. Meyer, D. Schalch und A. Scharmann — I. Phys. Inst. der Justus-Liebig-Universität Gießen
Heinrich-Buff-Ring
16 D-35392 D-Gießen

Kristallines Vanadiumdioxid zeigt bei T=3D68=B0C einen reversiblen Metall-Halbleiter-Übergang (MIT), der mit einem thermochromen Schaltverhalten in der optischen Transmission dünner Schichten einhergeht. Durch RF-Sputtern eines Vanadiumtargets in Ar-O₂-Atmosphäre haben wir polykristalline VO₂-Dünnschichten hergestellt. Der Einfluß der Herstellungsparameter auf die elektronische Struktur wurde mit Augerelektronenspektroskopie (AES) untersucht. Die Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS) lieferte zusätzlich Informationen über die Struktur des Leitungsbandes. Durch die Energieverlustfunktion Im(1/e(w)) können die Ergebnisse mit den optischen Größen verglichen werden. Weiterhin wurde der Einfluß von Dotierungen (Fluor, Wolfram) auf den Phasenübergang untersucht.