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DS: Dünne Schichten

DS 21: Laserverfahren I

Freitag, 27. März 1998, 09:30–10:15, H 31

	09:30	DS 21.1	Hauptvortrag: Gesteuerte Kristallisation dünner Halbleiterschichten auf alternativen Substraten, z.B. Glas, mit Laserverfahren — •S. Christiansen, M. Albrecht und H.P. Strunk