Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 24: Postersitzung
DS 24.11: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A
Untersuchung von dünnen Si3N4-Schichten auf GaAs und Si — •T. Dessauvagie, R. Vianden und C.v. Nathusius — Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, D-53115 Bonn
Si3N4-Schichten werden als Diffusionsbarrieren bei thermischen Ausheilprozessen an binären Halbleitern (z.B. GaAs) verwendet. Die Qualität der Schichten (Stöchiometrie und Homogenität) ist für den Erfolg des Ausheilverfahrens von großer Bedeutung. Mit Ellipsometrie und RBS wurden Siliziumnitridschichten untersucht, die mittels eines CVD-Verfahrens auf GaAs und Si aufgedampft worden sind. Es wurde eine Schichtdickenabhängigkeit der Zusammensetzung festgestellt.