Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 24: Postersitzung
DS 24.16: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A
Modellierung und Simulation der Prozesse bei der Plasma-
Immersions-Ionenimplantation — •M. Paulus1, L. Stals2, G. Keller1, B. Rauschenbach1 und U. Rüde2 — 1Universität Augsburg, Institut für Physik — 2Universität Augsburg, Institut für Mathmatik
Bei der Plasma-Immersion-Ionenimplantation (PII) wird eine Probe in ein Plasma eingebracht und an diese negative Hochspannungspulse angelegt. Zwischen dem Plasma und der Probenoberfläche bildet sich eine Randschicht aus, über die das Potential abfällt. Durch diese Randschicht hindurch werden die positiv geladenen Ionen auf die Probe zu beschleunigt und implantiert. Dieser Prozeß wurde mit einer zweidimensionalen Teilchensimulation modelliert. Es wurden die Bewegungsgleichungen für stoßfreie Ionen und die Poisson-Gleichung in einem Zeitschrittverfahren abwechselnd gelöst, wobei man annimmt, daß sich die Elektronen im Boltzmann-Gleichgewicht befinden. Damit wurde der Implantationsvorgang auch für komplexe Probengeometrien wie quadratische Proben oder Proben mit Grabenstruktur numerisch simuliert. Aus der Winkel- und Energieverteilung der auf die Oberfläche treffenden Ionen kann man Implantationsprofile berechnen und diese mit experimentellen Daten vergleichen.