Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.19: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Plasmaätzen von Silicidschichten — •Gunter Beddies, Barbara Gebhardt, Meiken Falke, Steffen Teichert und Hans-Jürgen Hinneberg — TU Chemnitz, Inst. für Physik, 09107 Chemnitz

Bei der Festphasenreaktion metallischer Doppelschichten (z.B. Co/ Ti) mit Si (100) werden während einer Kurzzeittemperung (RTA) epitaktische Cobalddisilicidschichten und störende Deckschichten gebildet. Zur Entfernung dieser reaktionsbedingten Deckschichten (Co-Ti-Si) wurde ein ionenunterstütztes Plasmaätzverfahren aufgebaut und erprobt. Es wurde der Einfluß der Plasmaparameter (Arbeitsdruck,HF-Leistung) sowie des Ätzgases (CF4, Ar/CF4, Ar) auf das Ätzverhalten derartiger Siliciddeckschichten untersucht. Zur in-situ Charakterisierung des Ätzprozesses bzw. zur Prozeß- kontrolle wurden optische Interferenzmessungen, Sondenmessungen sowie massenspektrometrische Untersuchungen eingesetzt. RBS/Channeling-, TEM- sowie AFM-Untersuchungen wurden zur Ätz- ratbestimmung bzw. zur Oberflächencharakterisierung eingesetzt. Erste Untersuchungen haben gezeigt, daß dieses Ätzverfahren auch zur Strukturierung vergrabener Silicidschichten geeignet ist.