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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.25: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

In situ Diagnostik der Wachstumsprozesse von Bornitridschichten — •A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

In situ Meßverfahren sind hervorragend geeignet, Veränderungen der Eigenschaften von Bornitrid-Schichten während des Wachstums zu beobachten und damit einen Beitrag zur Aufklärung der für Schichtbildung und Schichtwachstum entscheidenden Prozesse zu leisten. Untersucht wurde der Einfluß der Bias-Spannung (DC, HF, Rechteckpulse) auf Nukleations- und Wachstumsphase von kubischem Bornitrid (c-BN). Die Schichten werden mit einem FTIR-Spektrometer in Reflexion beobachtet (s-pol. Licht, minimale Zeitauflösung: 20 Sek.). In der ersten Phase wächst eine Zwischenschicht aus hexagonalem Bornitrid (h-BN) mit charakteristischen Peaks bei 1370 cm⁻¹ (in-plane Valenzschwingung) und 780 cm⁻¹(out-of-plane Biegeschwingung). Aus dem Verhältnis I₁₃₈₀/I₇₈₀ wurde der Grad der Orientierung der c-Achse bestimmt. Anschließend wächst c-BN mit einem Signal bei 1060 cm⁻¹. Mit zunehmender Dicke werden die Schichtspannungen größer. Dabei wandert der c-BN Peak zu höheren Wellenzahlen. Mit Hilfe einer Modellierung der Spektren wurde die Zunahme der Schichtspannungen in Abhängigkeit von verschiedenen Beschichtungsparameter bestimmt.