Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.2: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Rietveld-Untersuchungen an dünnen ITO-Schichten — •Marion Quaas und Harm Wulff — EMA-Universität Greifswald, Inst. f. Phys. Chemie, Soldtmannstr. 23, 17489 Greifswald

Für das Verständnis und die gezielte Beeinflussung makroskopischer Schichteigenschaften ist die genaue Kenntnis von Atomanordnung bzw. Atomlagen unerläßlich. Am Beispiel von dünnen ITO-Schichten wird gezeigt, daß exakte Bestimmungen von Kristallstrukturen mit Hilfe der Rietveld-Methode möglich sind. Ca. 100 nm dicke, durch Elektronenstrahlverdampfen hergestellte ITO-Schichten verschiedenen Zinngehaltes wurden mittels Grazing Incidence Xray Diffraction GIXRD untersucht. Mit steigender Zinnkonzentration wurde eine Peakverschiebung zu kleineren Winkeln 2θ sowie eine Peakverbreiterung beobachtet. An den in GIXRD-Geometrie gewonnenen Meßdaten wurden Rietveld-Berechnungen zur Verfeinerung der Strukturparameter vorgenommen. Gitterkonstanten, Atomkoordinaten und Bindungslängen wurden in Abhängigkeit vom Dotierungsgrad ermittelt und in Korrelation zur Leitfähigkeit gesetzt.